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  在功率半导体领域，TO（晶体管外形）封装器件因其结构坚固、散热良好而被大范围的应用于工业控制、新能源汽车及能源管理等高可靠性场景。然而，其内部晶片与基岛之间的焊接或粘接质量，直接决定了器件的长期导通性能、机械稳定性和常规使用的寿命。一个微小的空洞或弱粘接点，都可能在严苛的工况下成为失效的导火索。因此，如何精准量化并评估其粘接强度，成为质量管控的关键一环。

  晶片推力测试，作为一种经典且高效的破坏性力学测试方法，为此提供了权威的解决方案。它经过测量使晶片从基材上发生位移所需的最大力值，来客观评判粘接工艺的优劣。今天，科准测控小编将带您深入探讨TO功率器件晶片推力测试的核心原理、执行标准、关键仪器及标准化操作流程，助力企业提升产品可靠性与市场竞争力。

  测试时，一个特定尺寸和材质的推刀被精确对准并放置在待测晶片的侧面。测试机驱动推刀以恒定的速度水平向前推进，推刀将力垂直作用于晶片的侧面，这个力通过晶片传递到下方的粘接层（如焊料、环氧树脂等），使其承受剪切应力。

  随着推力持续增加，粘接层会发生破坏。检测系统会实时记录下整一个完整的过程中的力值变化，其峰值即为该次测试的最大推力值。通过将此实测值与预设的验收标准做对比，即可判定该晶片的粘接强度是不是合格。其失效模式（如粘接层内聚破坏、界面剥离等）也为工艺改进提供了重要线索。

  JESD22-B117：由JEDEC（固态技术协会）发布，是商用半导体器件广泛采纳的标准。

  精密位移平台：确保推刀能以恒定的速度（如标准常规定的0.1-0.5 mm/s）平稳推进，并精确定位。

  专用推刀：根据不同晶片尺寸和测试要求，选用不一样的材质（如碳化钨）和尺寸的推刀。

  1、样品准备：将待测的TO器件开封，暴露出内部的晶片和键合线。确保测试区域洁净，无污染物影响。

  2、设备校准：根据规定要求，对推拉力测试仪的力值传感器和位移系统来进行定期校准，确保数据准确。

  在Alpha W260测试仪上设定测试参数，包括测试速度、推力上限（以防意外）、测试目标位置等。

  通过显微镜观察，精细调整样品或推刀的位置，确保推刀接触面与晶片侧面完全垂直，且接触高度通常为标准规定的晶片高度的25% ± 15%。

  将记录的F_max与规定要求的最小推力值作比较，判定“合格”或“不合格”。

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